CMP化学机械平面化是一种用于半导体制造的抛光工,它通常用于在雕刻单个芯片图案化为后完成硅晶片。CMP工艺还可用于使用光刻法制成的物体表面去除多余的光刻胶。
CMP工艺可分为两个步骤:
1.抛光——将抛光垫装入抛光机,两面贴上垫片,晶圆放入支架中,然后放入抛光机中。机器启动,垫开始旋转并对晶圆施加压力,含有磨料颗粒(二氧化硅和/或氧化铝)的抛光液高速通过抛光垫两侧的通道到达晶圆上,去除晶圆前后表面的材料,直到得到平坦的表面。实现了。
2. 清洁——用干净的垫子更换脏的垫子,并在每个垫子的两侧涂抹润滑剂时停止旋转,在这些过程中,CMP 环是关键和必不可少的,材料质量和加工工艺决定了产品的好坏。
对于抛光工艺,卡圈有两种,一种是金属卡圈,一种是塑料卡圈。然而,金属挡圈与塑料挡圈相比摩擦系数大,表面易划伤,使用寿命较短。此外,金属环还会导致严重的颗粒产生,从而导致晶圆质量下降。因此,越来越多的制造商已从金属环转向塑料环(例如PPS 或 PEEK)。通常,PEEK材料由于易于加工而主要用于该过程,现在大部分的抛光液都是不含磨料的,但是在一些应用中磨料仍然存在,会对塑料材质造成严重的损伤。
PPS、PEEK是CMP卡环最常用的材料。如果您担心成本,那么 PPS 是另一种选择。我们正浩可以提供大的PPS 材料来满足不同尺寸的CMP 环。由于材料的特性,它们是此类应用的理想选择:刚度、出色的耐化学品性和耐温性(高达 85°C)、硬度(高达 85HRC)和抗疲劳性。
PPS 和 PEEK 是 CMP 固定环中最常用的两种材料。两者都具有优良的物理性能,如耐化学性、耐高温性、低摩擦系数、高硬度、低吸水性。然而,它们在机械性能方面也有显着差异。
这两种材料具有一些使其具有吸引力的优异特性:
1)热膨胀系数低;
2)较低的弹性模量;
3)良好的耐化学性;
4)优异的耐磨性;
5) **的刚度重量比。